昭和電工がSiCパワー半導体向け6インチ単結晶基板の量産を開始

　昭和電工株式会社（社長：髙橋秀仁）は、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキシャルウェハー（以下、SiCエピウェハー）^*1の材料である、6インチ（150mm）のSiC単結晶基板（以下、SiCウェハー）の量産を開始した。

　SiCパワー半導体は、現在主流のSi（シリコン）製パワー半導体に比べて耐高温特性・耐高電圧特性・大電流特性に優れ、パワーモジュールの省エネルギー・高効率化、小型化に貢献することから、電動車や鉄道、産業機器など幅広い用途で急速に需要が拡大している。

　昭和電工は、世界最大のSiCエピウェハー外販メーカーとして、世界最高水準の品質のSiCエピウェハーを提供し、国内外のデバイスメーカーから高い評価を得ている。これまで、品質向上や安定供給体制構築の一環としてSiCエピウェハーの製造に不可欠なSiCウェハーの自社生産を検討してきた。2010年から2015年にかけて経済産業省及び国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構の委託事業である「低炭素社会を実現する新材料パワー半導体プロジェクト」^*2に技術研究組合次世代パワーエレクトロニクス研究開発機構^*3のメンバーとして参画したほか、2018年には新日鐵住金グループ（現日本製鉄グループ）が保有するSiCウェハーの関連資産を譲りうけ^*4、量産技術の開発を継続してきた。

　今回、複数の取引先から昭和電工製6インチSiCウェハーを使用したSiCエピウェハーが採用されたことを受け、6インチSiCウェハーの量産を開始したもの。旺盛な需要に応えるため、引き続きパートナー各社よりSiCウェハーの調達を継続することで材料調達先の多様化を進め、SiCエピウェハーの安定供給体制を構築する。