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SiCエピタキシャルウェハー
2022年9月7日 / 最終更新日時 : 2022年9月8日 ガスペディア 半導体

昭和電工 200mm SiCエピウェハーのサンプル出荷を開始

自社製SiC単結晶基板を活用、SiCパワー半導体の普及・拡大に貢献  昭和電工は、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキ シャルウェハー(以下、SiCエピウェハー)*1について、国内メーカーとして初の […]

6インチ(150mm)のSiC単結晶基板
2022年3月28日 / 最終更新日時 : 2022年3月30日 ガスペディア 半導体

昭和電工がSiCパワー半導体向け6インチ単結晶基板の量産を開始

 昭和電工株式会社(社長:髙橋 秀仁)は、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキシャルウェハー(以下、SiCエピウェハー)*1の材料である、6インチ(150mm)のSiC単結晶基板(以下、SiCウェハ […]

2013年5月20日 / 最終更新日時 : 2019年3月31日 ガスペディア 半導体

世界初、大面積 8 インチ SiC on Si基板の量産技術開発に成功し生産販売開始

 エア・ウォーターは、パワー半導体や LED(発光ダイオード)向け下地基板として、世界で初めて高品質な SiC(シリコンカーバイト)基板を最大8インチまで生産できる技術を開発し、量産体制を整えた。これは安価な Si(シリ […]

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