大陽日酸、名古屋大学へMOCVD 装置納入

　大陽日酸は、2014 年にノーベル物理学賞を受賞した国立大学法人名古屋大学天野浩教授の研究室に研究開発用 MOCVD 装置他、周辺設備を納入する。納入時期は2016 年 1 月予定。

　名古屋大学では、2015年 10 月 1 日に窒化物半導体の研究拠点を開設し、結晶成長だけでなく、デバイス作製・評価までを一貫して手掛け、窒化物半導体の持つポテンシャルを最大限に引き出す研究開発が予定されている。
　大陽日酸が、国際入札によって納入することが決定した MOCVD 装置で、青色発光ダイオード(LED)を開発した際に使われた窒化ガリウムを応用し、大幅に電力損失を抑え省エネルギーにつながる次世代パワー半導体の研究が進むことが期待される。
　大陽日酸ではMOCVD装置を使った同大学の研究を通じて、省エネルギー社会実現に貢献するとともに、 MOCVD 装置の優位性をさらに高めていく。

【納入する装置の概要】
・ MOCVD 装置
処理能力： 最大４インチ径３枚
型式： ＳＲ８０００
特徴： バルク GaN(窒化ガリウム)基板上への高耐圧トランジスタやダイオードの研究に必要な厚膜成長のニーズに応える高純度・高速成長 MOCVD

・ HVPE（Hydride Vapor Phase Epitaxy：ハイドライド気相成長）装置処理能力：２インチ１枚
型式：ＨＶＰＥ３００
特徴：次世代 GaN 基板開発用装置。最高成膜温度 1500℃。

・ その他ガス供給関連設備
窒素用高純度ガス精製装置、水素用高純度ガス精製装置
シリンダーキャビネット 4 台
燃焼式排ガス処理装置