米国オハイオ州立大学が大陽日酸製MOCVDとHVPE装置を採用

最先端の化合物半導体デバイス実現に貢献

　大陽日酸は、米国のオハイオ州立大学に同社製MOCVD装置^※1およびHVPE装置^※2を納入する。

　オハイオ州立大学は、ワイドバンドギャップ半導体^※3分野において世界的に著名な研究機関で、特に窒化ガリウムや酸化ガリウムなどの次世代パワーデバイス材料に関する研究で卓越した実績を誇る。同大学では、数多くの優秀な研究者が集まり、活発な研究が行われている。

　今回、大陽日酸は高性能な化合物半導体デバイスの製造に不可欠な窒化物用MOCVD装置（SR4000HT-RR-LV）と酸化物用HVPE装置を納入する。これらの装置は、同大学の研究開発を加速し、最先端の化合物半導体デバイスの実現に貢献することが期待される。大陽日酸では同大学と強固な協力関係を築くことで、研究開発を加速しグローバル市場に対する大陽日酸製MOCVD装置の優位性をさらに高めるとしている。

※1 MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）装置：原料に有機金属やガスを用いながら基板上に化合物半導体の成膜を行う装置。
※2 HVPE（Halide Vapor Phase Epitaxy）装置：原料に金属塩化物ガスと非金属の水素化物ガスを用いながら基板上に半導体の成膜を行う装置。
※3 ワイドバンドギャップ半導体：窒化ガリウムなど、電子が価電子帯から伝導帯に遷移するためのエネルギー値が高い半導体。その特性は、高温での動作や高電圧での動作に優れ、高電力・高周波アプリケーションや高温環境での使用に適しているとされている。