大陽日酸が米国サウスカロライナ大学にMOCVD装置を納入

パワーエレクニクスデバイス向けの高品質なAlGaNや、その他のワイドバンドギャップ半導体を製造

　大陽日酸は、米国のサウスカロライナ大学に自社製 MOCVD 装置^※1を納入する。サウスカロライナ大学が採用した大陽日酸製 MOCVD 装置（型式：SR-4000HT）は、パワーエレクニクス等のデバイス技術に必須となる高品質なアルミニウムナイトライド(AlGaN)やその他のワイドバンドギャップ半導体^※2製造に用いられ、窒化物半導体の開発に貢献することが期待される。

　大陽日酸では同大学と協力し、先進的な窒化物半導体デバイスの研究開発を支援することで、自社製 MOCVD 装置のグローバル市場に対する優位性が促進されるとしている。

※1 MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）装置：原料に有機金属やガスを用いながら基板上に化合物半導体の成膜を行う装置。
※2 ワイドバンドギャップ半導体：窒化アルミニウムなど、電子やホールが価電子帯から伝導体に遷移するためのエネルギー値が高い半導体。その特性は、高温での動作や高電圧での動作に優れ、高電力・高周波アプリケーションや高温環境での使用に適しているとされている。