大陽日酸、ポーランド 科学アカデミー高圧物理研究所（Unipress）に複数台の MOCVD 装置を納入

世界クラスの GaN バルク結晶成長技術との組み合わせで窒化物材料のエピタキシャル成長の研究開発を加速

　大陽日酸は、ポーランドの科学アカデミー高圧物理研究所（以下「Unipress」）に複数台の自社製 MOCVD 装置^※1 を納入する。納入する大陽日酸製 MOCVD 装置（型式：SR4000HT）は、同研究所で確立した世界クラスの GaN バルク結晶成長技術と組み合わせる事を可能とし、窒化物材料のエピタキシャル成長の研究開発を加速させる。また、その他のワイドバンドギャップ半導体^※2 製造にも用いられ、窒化物半導体の開発に貢献することが期待される。

　大陽日酸では Unipress と協力し、先進的な窒化物半導体デバイスの研究開発を支援することで、自社製 MOCVD 装置のグローバル市場に対する優位性を促進するとしている。

※1 MOCVD（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）装置：原料に有機金属やガスを用いながら基板上に化合物半導体の成膜を行う装置。
※2 ワイドバンドギャップ半導体：窒化アルミニウムや酸化ガリウムなど、電子やホールが価電子帯から伝導体に遷移するためのエネルギー値が高い半導体。その特性は、高温での動作や高電圧での動作に優れ、高電力・高周波アプリケーションや高温環境での使用に適しているとされることから、電気自動車や再生可能エネルギーの分野など、幅広い用途が見込まれている。