2022年9月7日 / 最終更新日時 : 2022年9月8日 ガスペディア 半導体 昭和電工 200mm SiCエピウェハーのサンプル出荷を開始 自社製SiC単結晶基板を活用、SiCパワー半導体の普及・拡大に貢献 昭和電工は、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキ シャルウェハー（以下、SiCエピウェハー）*1について、国内メーカーとして初の […]
2022年3月28日 / 最終更新日時 : 2022年3月30日 ガスペディア 半導体 昭和電工がSiCパワー半導体向け6インチ単結晶基板の量産を開始 昭和電工株式会社（社長：髙橋 秀仁）は、SiC(炭化ケイ素)パワー半導体に使用されるSiCエピタキシャルウェハー（以下、SiCエピウェハー）*1の材料である、6インチ（150mm）のSiC単結晶基板（以下、SiCウェハ […]
2013年5月20日 / 最終更新日時 : 2019年3月31日 ガスペディア 半導体 世界初、大面積 8 インチ SiC on Si基板の量産技術開発に成功し生産販売開始 エア・ウォーターは、パワー半導体や LED（発光ダイオード）向け下地基板として、世界で初めて高品質な SiC（シリコンカーバイト）基板を最大８インチまで生産できる技術を開発し、量産体制を整えた。これは安価な Si（シリ […]
